2009年4季度300mm硅片需求开始恢复

２０１０年第４期　重要的。工业部门希望材料科学家对焊接的可靠性进行更多更详尽的研究。只有更好地了解　不同的可靠性后面的科学本质，封装工程师才能用更具成本效益的方法解决这些问题。　（黄文梅摘译）　多层金刚石涂层延长了移植关节的寿命　位于伯明翰的阿拉巴马大学正在研究一种纳米结构的涂层，目的是用于改善全关节替代　部件的性能和寿命。根据国家健康研究所和国家关节、骨骼和皮肤疾病研究所的要求，正在　进行中的项目又有所扩展。　Ｙｏｇｅｓｈ　Ｖｏｈｒａ医生说，下一代技术能够改善全关节替代部件的服务寿命，神奇地避免了　每年要进行的周期性的外科手术。其在业界的合作者是Ｓｍｉｔｈ＆Ｎｅｐｈｅｗ　Ｏｒｔｈｏｐａｅｄｉｃｓ公司，　这是一家提供关节替代物黑晶氧化锆的制造商。　Ｙｏｇｅｓｈ　Ｖｏｈｒａ医生说：“我们已使用ＵＡＢ本身拥有的设施进行了多年的纳米结构的多层　金刚石涂层研究。”。给合作者Ｓｍｉｔｈ＆Ｎｅｐｈｅｗ　Ｏｒｔｈｏｐａｅｄｉｃｓ公司的资金支持拓展了它的研　究团队的选择，例如，研究团队有权使用公司的臀部和膝盖的模拟器。ＵＡＢ的教授解释说：　“使用价值数百万美元的模拟器能够清晰地指出涂层对减小关节替代物金属部件摩擦力和磨　损的效果。”　ＹｏｇｅｓｈＶｏｈｒａ医生预期，覆盖纳米结构的多层金刚石涂层的部件会减少对周围的组织释　放金属离子，在避免了周期性的外科手术、长期植入的情况下也会有更优异的功能。　（黄文梅摘译）　日本三菱电机大幅降低ＳｉＣ逆变器电力损耗　日本三菱电机公司通过实验验证，采用有望成为下～代功率半导体材料ＳｉＣ的逆变器，　比目前主流的使用硅元件（ＩＧｌｒＢＴ：绝缘栅双极晶体管）的逆变器，在输出功率为２０ｋＷ、驱　动频率为２０ｋＨｚ时的电力损耗减少９０％。　此次通过ＳｉＣ元件的配置及最佳化布线，抑制了高压及电压波形的振动，将开关损耗降　至最低，使ＳｉＣ逆变器的性能得到充分发挥。　今后将进一步提高ＳｉＣ元件（ＭＯＳＦＥＴ，ＳＢＤ）的容量及性能，同时进一步开发其在空　调、太阳能发电系统等用的功率调节器、电梯等各种机械方面的应用技术。　（杨晓婵摘译）　２００９年４季度３００ｍｍ硅片需求开始恢复　２００９年９月，ＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ闪存等半导体器件市场出现复苏迹象，使３００ｍｍ硅片　出货量开始恢复，但价格与２００８年同期相比大幅下降。再加上２００ｍｍ硅片需求减少，各硅　片厂家经营状况非常严峻。硅片厂家在７月份曾要求提高３００ｒｍｎ硅片价格，但未能如愿。　２００８年年中，３００ｍｍ抛光片价格为１４０～１５０美元／片，外延片价格为２１０￣２３０美元／片。２００８　年秋季以后，需求剧减，价格大幅下降。２００９年２季度，３００ｍｍ抛光片价格下跌至１００美　１５　２０１０年第４期　元／片，外延片下跌至１００￣１２０美元／片。　２００９年，全球硅片厂家由于需求大幅减少，对３００ｒａｍ硅片的生产采取了停开设备及消　减人员等措旄。由于价格下跌，销售额大幅减少。世界硅片出货面积，２００９年１月为１３０　万片，８月上升到２８０万片，恢复到２００８年７月３２０万片的９０％左右。　今后，随着半导体器件需求增加，台湾等晶圆代工厂开工率将上升，３００ｍｍ硅片供应　可能会出现紧张状况。另外，美国德州仪器公司３００ｒａｍ新晶圆厂２００９年ｌ０月投产，预计　３００ｒａｍ硅片市场还将扩大。３００ｍｍ硅片价格谈判估计将在２０１０年ｌ季度进行，如果硅片价　格不上调，硅片厂家将无法进行与微细化技术及增产相关的设备投资。　（杨晓婵摘译）　全球多晶硅供需情况预测　预计２０１０年年中，太阳能电池用多晶硅将结束库存调整，供需达到平衡。２００８年爆发　的金融危机导致全球经济萎缩，以欧洲为主的太阳能发电项目相继延期或终止。作为原料的　多晶硅，从２００８年年中的供不应求骤然变为供应过剩。由于资金短缺，太阳能发电项目或　延期或终止，导致太阳能电池板、组件及电池片均大量积压。　２００９年夏季以后，以德国为中心，对太阳能电池板及组件的需求开始恢复。由于太阳　能电池板及组件价格下跌，使太阳能发电成本接近Ｇｒｉｄ　Ｐａｒｉｔｙ（太阳能发电成本下降至与传　统发电成本相当）。　据欧洲光伏工业协会（ＥＰＩＡ）预测，２００９年全球太阳能电池产量为６．８ＧＷ，比２００８　年（５．６ＧＷ）增加２ｌ％。并预测２０１０￣２０１３年将分别增加至ｌ０．８　ＧＷ、１３．８ＧＷ、１７．４ＧＷ、　２２．３ＧＷ，增长率分别为５９％、２８％、２６％、２８％。２００７－２０１３年的年均增长率为４５％。这是　由于太阳能电池板及组件价格快速下跌，且各国为保护环境减少Ｃｏ２排放，从而促使光伏　市场持续扩大。　２００８年，在太阳能电池中，结晶电池占８６％，薄膜电池占ｌ４％。预计２０１３年，结晶电　池比例将降至７５％，薄膜电池将增至２５％。结晶电池虽然比例下降，但产量还在不断增加，　因此对原料多晶硅的需求仍将持续增长　如ＥＰ　预测那样，２０１３年太阳能电池产量为　２２．３ＧＷ，按７５％的比例计算，结晶电池产量将达ｌ６．７　ＧＷ。按生产１ＭＷ电池需要９ｔ多晶　硅计算，２０１３年多晶硅需求为ｌ５万ｔ。　２００９年全球多晶硅产能估计为９．２万ｔ，比２００８年增加６０％，实际产量估计为８万ｔ，　同比增加４０％。其中，太阳能电池用６万ｔ，同比增加７６％，半导体用２万ｔ，同比减少ｌ３％。　从多晶硅企业增产计划看，２０１３年全球多晶硅产能将接近２０万ｔ，即使包括半导体用，　仍将供应过剩。因此，多晶硅增产计划有可能延期。日本多晶硅企业将设备投资的重点放在　半导体级多晶硅方面，与其它企业相比，对太阳能电池用多晶硅的设备投资相对较缓。　中国２００８年太阳能级多晶硅产量大约为５０００ｔ，实际生产企业有７家左右。据说。２００９　年多晶硅生产企业增加至７０家以上，产能超过１Ｏ万ｔ。多晶硅生产成本为５０－６０美元／ｌ呜，　计划销售价格为１００－－２００美元／ｌ呜。因此，若销售价格下滑严重，不能盈利，将很有可能出　现停产的企业。　老字号多晶硅企业并未感受到来自中国及韩国的威胁。这是由于为提高单晶硅太阳能电　１６