专利名称：半导体晶体管专利类型：发明专利发明人：吴国成
申请号：CN200910137570.4申请日：20090514公开号：CN101728427A公开日：20100609
摘要：本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于100。第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。
申请人：吴国成
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京市德恒律师事务所
代理人：马铁良
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