专利名称：下行式空场嗣后充填采矿法专利类型：发明专利
发明人：杨小聪,刘光生,万串串,于世波,郭利杰,许文远申请号：CN202010088255.3申请日：20200212公开号：CN111101946A公开日：20200505
摘要：本发明公开了一种下行式空场嗣后充填采矿法，包括步骤：将待采矿体划分为采场，并采用中深孔或深孔凿岩爆破方式回采；水平方向上相邻的采场竖向交错布置；任一采场须在其竖向相邻的上部采场及水平相邻的靠上采场回采完毕并充填养护之后方能回采。适用于地下金属/非金属矿山的岩体质量一般至极差的或深部高应力条件下坚硬的倾斜至急倾斜中厚以上矿体、或水平至缓倾斜厚大矿体的开采，其具有采场生产能力大、回采效率高、机械化作业程度高等特点。
申请人：北京矿冶科技集团有限公司
地址：100160 北京市丰台区南四环西路188号总部基地十八区23号楼
国籍：CN
代理机构：北京凯特来知识产权代理有限公司
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