苏 州 市 职 业 大 学
实习（实训）报告
名称 基于Silvaco TCAD的MOS工艺流程模拟 及电学参数提取
2013年11月25日至2013年11月29日共 1周
院 系 电子信息工程学院 班 级 11微电子技术3 学 号 117308130 姓 名 栾汉卿
院 长 张红兵 系 主 任 陈伟元 指导教师 吴清鑫
集成电路工艺项目实训报告
苏 州 市 职 业 大 学
实习（实训）任务书
名 称：基于Silvaco TCAD的MOS工艺流程模拟
及电学参数提取
起讫时间： 2013年11月25日至2013年11月29日 院 系： 电子信息工程学院 班 级： 11微电子技术3 指导教师： 吴清鑫 院 长： 张红兵
集成电路工艺项目实训报告
一、实习（实训）目的和要求 目的： 1、通过实训提高资料收集和分析能力； 2、熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境； 3、掌握基本的nmos工艺流程，以及如何在TCAD环境下进行nmos工艺流程模拟； 4、掌握器件参数提取方法，以及不同工艺组合对nmos晶体管的阈值电压、薄层电阻等电学参数的影响； 要求： 1、仔细阅读实训内容，独立编写程序，掌握基本的TCAD使用； 2、熟悉nmos晶体管的基本工艺流程，和关键工艺参数； 3、记录Tonyplot的仿真结果，并进行相关分析； 4、完成实训报告，内容：原理分析、软件编写、调试报告、心得体会（报告用A4纸，用模板提供的封面）。 二、实习（实训）内容 1、 nmos晶体管整体工艺模拟 设计nmos晶体管工艺流程模拟程序，运行得到相应的器件模型(参考软件自带的例子MOS1) NMOS晶体管的基本工艺流程： a.衬底硅氧化：在衬底表面产生一层相对较厚的SiO2有选择地刻蚀氧化区，暴露出将来用来生成MOS晶体管的硅表面； b.用一高质量的氧化物薄膜覆盖在Si表面，这层氧化物最终将形成MOS晶体管的栅极氧化物； c.在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用做MOS晶体管的栅电极材料，也可以用做硅集成电路中的互连线； d.成型和刻蚀多晶硅层，形成互连线和MOS管的栅极，刻蚀未覆盖多晶硅的那层薄栅极氧化物，裸露出硅表层，这样就可以在其上面形成源区和漏区了； e.通过扩散或离子注入的方式，整个硅表层就会被高浓度的杂质所掺杂，形成源区和漏区； f.用一层SiO2绝缘层覆盖整个表面对绝缘的氧化层成型得到源极和漏极的接触孔，表层蒸发覆盖一层铝，形成互连线，将金属层成型并刻蚀，其表层形成了MOS管的互连。 2、晶体管电学参数提取 在晶体管工艺仿真程序基础上，设计结深、源漏电阻等电学参数提取程序，并分析工艺参数对器件电学性能的影响。如改变阱浓度（阱注入剂量）、改变栅氧化层厚度（氧化时间）、改变调整阈值电压的注入浓度等参数对器件剖面图、栅极特性曲线、输出I-V特性曲线的影响。 3、分析变化情况，找出最优工艺参数。
集成电路工艺项目实训报告
三、实习（实训）方式 √集中 □ 分散 √校内 □ 校外 四、实习（实训）具体安排 1、指导教师介绍Silvaco TCAD软件的使用方法，讲述安全注意事项、实训报告书写规范——4课时 2、学生查找资料，设计NMOS的工艺流程，学习编写程序—— 6课时 3、完成NMOS的工艺模拟、器件特性模拟，并分析工艺参数对器件电学特性的影响 —— 7课时 4、完成实训报告 —— 6课时 5、交实训报告和实物。——1课时 五、实习（实训）报告内容 1、Silvaco TCAD软件的基本知识； 2、NMOS基本结构、工艺流程及工作原理介绍； 3、NMOS工艺仿真、器件仿真，分析各项工艺参数对NMOS器件的栅极特性曲线、输出I/V特性曲线的影响； 4、实验总结（心得体会）； 5、参考文献
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容