sw13003a参数和放大倍数
sw13003a参数为400V、1.8A、50W，放大倍数为11-16。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
sw13003a参数为400V、1.8A、50W，放大倍数为11-16。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
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13003三极管它是一个什么性能的管子他在电路里起什么作用,他的参数是什...
13003为中功率NPN型晶体管，主要作为电源开关管用。小型的开关电源，及电子整流器都用这个管子。字面朝自己，管脚朝下，从左至右三脚依次为ECB。耐压VCEO=400V。最大电流ICM=1.5A，放大倍数Hfe约为5至25倍。
兄弟你应该去学点基础的东西啊！因为那些基础的东西你没掌握，即使告诉了你怎么测量有多少欧也没什么用，因为你仅仅知道测个三极管的好坏也没用啊！至于怎么放大，和这个管子关系不大，这个管子是当开关管用的，放大倍数比较低。那个HFE只是个参数而已。对这个管子而言一般不需太关注它。
13003三极管它是一个什么性能的管子他在电路里起什么作用,他的参数是什...
13003为中功率NPN型晶体管，主要作为电源开关管用。小型的开关电源，及电子整流器都用这个管子。
字面朝自己，管脚朝下，从左至右三脚依次为ECB。耐压VCEO=400V。最大电流ICM=1.5A，放大倍数Hfe约为5至25倍。
MJE13003三极管是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装。
扩展资料：
MJE13003三极管主要参数
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流IC 2.0 A
集电极耗散功率PC 40 W
最高工作温度Tj 150 °C
贮存温度Tstg -65-150 °C
集电极-基极截止电流ICBO （VCB=700V） 100 μA
集电极-发射极截止电流ICEO （VCE=400V，IB=0） 250 μA
集电极-发射极电压VCEO （IC=10mA，IB=0） 400 V
发射极 -基极电压VEBO （IE=1mA，IC=0） 9 V
直流电流放大倍数5~40
叁考资料来源：百度百科三极管-13003
13003的三极管放大倍数是多少啊
13003直流电流放大倍数5~40;
1，任何电晶体的放大倍数都是在一个范围，而不是一个绝对值
2，所以在三极管线路设计中都是一些闭环，反馈。
3，13003是一个开关管，开关管不是在放大区，而是饱和和截至.
请教一下13003这个三极管的参数
一、13003参数:
芯片面积：1.63×1.63（特制芯片）；
额定电流：1.5 A（加大电流品种）；
饱和压降低、热性能好；
反向击穿电压高、漏电流小；
N型硅单晶三重扩散平面工艺制作。
二、三极管的简单介绍：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
13003E和13003C有什么区别
13003E和13003C两个管参数一样，400V，1.8A，50W，区别应该是放大倍数，13003E的放大倍数为21-25，,13003C的放大倍数为18-22，13003系列分5种，他们的放大倍数（hfe）分别为13003A是 11-16，13003B是15-19 ，13003C是18-22 ，13003E是21-25 ，13003F是24-30，，
13003是什么三极管
13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
扩展资料
制造工艺设计
1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3，然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的多晶硅，
淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um处）此时形成N++型杂质（发射区）。
刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入
注入能量18ev，浓度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构，最后淀积铝电极 。
参考资料来源：百度百科-NPN型晶体管
三极管13002与13003有什么区别
都是NPN开关管
13003：硅NPN管，参数：400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ
面对着管子正面，管脚向下，从左向右依次为：基极B 集电极C 发射极E.
13002:400V，0.9W，0.8A FT5MHz
分别是VCEO，PC，Ic
13003可以代替13007吗
E13007-1和BUL128都可以代替13003，只是大材小用了。通常13003是TO-126封装，而E13007-1和BUL128都是TO-220封装.所占空间大小不同，TO-126封装的集电极是塑料包封的。
请问三极管13003-2与13005参数
三极管13003根据厂家不同有很多个参数，耐压400V~700V，集电极电流1.5~3A，包括功率和管脚排列也不尽相同，总之有多个不同版本。13005耐压400V~700V，集电极电流4A ，功率 60W 或 75W
三极管 E13007-1可以代替13003吗
13007可以直接代换13003。参数对比如下：
13003主要参数：
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流ic 2.0 A
集电极耗散功率pc 40 W
直流放大倍数HFE：5~40
封装形式：TO-126
13007主要参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=700V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流ic=8A
耗散功率pc=80W
直流放大倍数HFE：5~60
封装形式：TO-220
两者封装形式虽然不同，但是管脚排列一致，有字面朝上，管脚从左至右为b、c、e。参见下图：